详细参数
型号:IRF7402TRPBF

制造商:International Rectifier
RoHS:

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装:剪切带 (CT)
说明:MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
标准包装:1
类别:分立式导体产品
家庭:FET - 单
系列:HEXFET?
包装:剪切带 (CT)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.8A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 4.1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):650pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
产品目录页面:1523 (CN2011-ZH PDF)
其它名称:*IRF7402TRPBF
IRF7402PBFCT